发明名称 压电陶瓷、其制造方法和压电器件
摘要 本发明提供一种不含铅的压电陶瓷,其具有高的压电特性,具备含有碱金属的铌酸系钙钛矿结构,不需要对高压下的烧制、特殊氛围下的烧制、精细的烧制的条件进行控制,能够得到致密且内部的多晶结构微细且均匀的压电陶瓷,另外,提供一种该压电陶瓷的制造方法以及使用该压电陶瓷的压电器件。压电陶瓷的特征在于,含有[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、w表示摩尔比,分别为0≤x<1、0≤y<1、0≤z<1、0≤w<1)作为主相,含有K3Nb3O6Si2O7作为副相。另外,压电陶瓷的制造方法的特征在于,包括:得到上述作为主相的组合物(或者它们的材料)的步骤;得到上述作为副相的组合物的步骤;将两者混合的步骤;和将两者的混合物成型、烧制的步骤。并且,第一电极和第二电极隔着压电陶瓷层相对的压电器件的特征在于,上述压电陶瓷层由上述压电陶瓷形成。
申请公布号 CN102131746A 申请公布日期 2011.07.20
申请号 CN200980133416.8 申请日期 2009.08.10
申请人 太阳诱电株式会社 发明人 波多野桂一;岸本纯明;土信田丰
分类号 C04B35/00(2006.01)I;H01L41/083(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;H01L41/24(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I 主分类号 C04B35/00(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳;季向冈
主权项 一种压电陶瓷,其特征在于:含有[K1‑xNax]1‑yLiy[Nb1‑z‑wTazSbw]O3作为主相,含有K3Nb3O6Si2O7作为副相,其中,x、y、z、w表示摩尔比,分别为0≤x<1、0≤y<1、0≤z<1、0≤w<1。
地址 日本东京都