| 发明名称 | 沟槽型MOS器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型MOS器件中栅氧的制备方法，为在栅氧化层生长之前，先进行离子注入工艺在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。采用本发明的制备方法，使得沟槽侧壁的氧化速度比底部慢，从而底部的栅氧化层比侧壁的栅氧化层厚，能有效地降低MOS器件的栅极和漏极之间的寄生电容，加快电路开关速度，减小电路功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102130004A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027319.5 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;张智侃 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种沟槽型MOS器件的制备方法，其特征在于：在栅氧化层生长之前，先进行离子注入在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||