发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底，包括正面和与正面相对的背面，正面上具有多个凸起；依次形成于凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于衬底背面的第一导电类型电极。所述凸起使得在衬底上的膜层具有较低的缺陷密度和较低的、均匀的应力分布，晶圆不易破裂，形成的发光二极管的内量子效率与外量子效率均得到改善；此外，由于采用衬底作为发光二极管的一个电极垂直结构，充分利用了芯片的有效发光面积并改善了发光二极管的散热性能，发光二极管的发光效率进一步提高。

主权项

一种发光二极管，包括：衬底，包括正面以及与所述正面相对的背面，所述正面上具有多个凸起；依次形成于所述凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；形成于所述第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；形成于所述衬底背面的第一导电类型电极。