| 发明名称 | 用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构，涉及半导体测试工艺。采用现有的大面积测试结构由于背景电流和串联电阻较大难以准确侦测出栅氧化层的击穿，且测量精度低；采用多个小面积结构测试，又存在测试时间长、焊垫使用数量大等缺点。本发明的用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构，由m×n个测试单元按矩阵形式排列而成，所述每一个测试单元具有第一引线和第二引线，其中，每一列的m个测试单元的第一引线均连接至一条金属导体，每一行的n个测试单元的第二引线也连接至一条金属导体，每一条金属导体的一端连接至一个焊垫。采用本发明的矩阵型测试结构，可节省测试时间，提高测试精度，并减少焊垫使用数量和焊垫占用面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101281897B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200710039185.7 | 申请日期 | 2007.04.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 简维廷;郭强;江顺旺;赵永 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构，由m×n个测试单元，m、n均为自然数，按矩阵形式排列而成，所述每一个测试单元具有第一引线和第二引线，其特征在于：每一列的m个测试单元的第一引线均连接至一条金属导体，每一行的n个测试单元的第二引线也连接至一条金属导体，每一条金属导体的一端连接至一个焊垫。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||