| 发明名称 | 化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械研磨方法，该方法包括以下步骤：提供多个具有相似或相同图形的硅片，这些硅片均具有硅衬底和位于该硅衬底之上的待研磨层，使用化学机械研磨设备将待研磨层研磨至目标位置，再进行一定时间Top的过研磨，其中，使用终点检测装置来监测研磨终点及监测到该终点后发出开始所述过研磨的指示，并由该终点检测装置测得硅片被正常研磨时抵达所述终点所经历的平均研磨时间T1，其中，该方法还包括：当多个硅片中的一个硅片被研磨至终点时所经历的实际研磨时间T小于T1的70％-85％时，将该硅片的过研磨时间Top延长至Top+(T1-T)。 | ||
| 申请公布号 | CN102126181A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010022888.0 | 申请日期 | 2010.01.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓武锋;杨涛 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，该方法包括以下步骤：提供多个具有相似或相同图形的硅片，所述硅片均具有硅衬底和位于该硅衬底之上的待研磨层，使用化学机械研磨设备将所述待研磨层研磨至目标位置，再进行一定时间Top的过研磨，其中，使用终点检测装置来监测所述研磨的终点及监测到该终点后发出开始所述过研磨的指示，并由所述终点检测装置测得硅片被正常研磨时抵达所述终点所经历的平均研磨时间T1，其中，该方法还包括：当所述多个硅片中的一个硅片被研磨至经所述终点检测装置检测到的终点时所经历的实际研磨时间T小于T1的70％‑85％时，将该硅片的过研磨时间Top延长至Top+(T1‑T)。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||