| 发明名称 | 基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构，克服了由于金属良好的导热性能而导致的高Reset电流，采用P/N型氧化物叠层结构，降低了Reset电流，减小了RRAM器件的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102130297A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010593332.7 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 张楷亮;宋凯;王芳;王兰兰;赵金石 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 侯力 |
| 主权项 | 一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。 | ||
| 地址 | 300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 | ||