| 发明名称 | 处理聚硅氮烷膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101192531B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200710196360.3 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 渡边将久;柴田哲弥 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种处理聚硅氮烷膜的方法，其特征在于，包括：将表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板搬入反应容器的处理区域的工序；在将所述处理区域设定为包含氧、并且具有6.7kPa～26.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使所述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温的工序；和在将所述处理区域设定为包含氧化气体、并且具有高于所述第一压力的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在所述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||