高阻值电阻实现方法及高阻值电阻

摘要

本发明公开了一种高阻值电阻实现方法，是在淀积完本征锗硅及介质层后，先使用基区锗硅光刻版，刻蚀介质层，然后刻蚀锗硅，形成需要的图形，之后再淀积发射极多晶硅层。本发明的高阻值电阻实现方法，利用本征杂质浓度的锗硅，上面生长介质层，然后再在上面覆盖多晶硅，无需使用金属化阻挡层光刻步骤以达到本征锗硅上不生长金属硅化物，无需使用额外注入层光刻步骤以达到高阻值电阻，工艺简单。本发明公开了一种高阻值电阻。

主权项

一种高阻值电阻实现方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅基板上做出场氧区；二.在做好场氧区的硅基板上淀积第一层介质层；三.在第一层介质层之上淀积本征锗硅；四.在本征锗硅之上淀积第二层介质层；五.使用基区锗硅光刻版，刻蚀第二层介质层，然后刻蚀本征锗硅到第一层介质层，形成需要的场氧区之上的本征锗硅；六.在第二层介质层之上淀积第二层多晶硅，然后全面注N型杂质，对第二层多晶硅进行重掺杂，形成发射极多晶硅层；七.使用发射极多晶硅光刻版刻蚀，在需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅之上的发射极多晶硅层留下光刻胶图形进行刻蚀，刻蚀掉光刻胶图形之外的发射极多晶硅层及第二层介质层，留下光刻胶图形下的发射极多晶硅层，形成本征锗硅上覆盖多晶硅的结构；八.保留发射极多晶硅层刻蚀后的光刻胶，带胶注入重掺杂P型杂质，未被发射极多晶硅层及第二层介质层覆盖住的锗硅区域将被重掺杂；九.淀积氧化膜，然后刻蚀，在锗硅及多晶硅侧面形成侧墙保护；十.在未被第二层介质层及侧墙覆盖住的已经被重掺杂的锗硅上面形成金属硅化物；十一.从需要形成电阻体部分的场氧区本征锗硅两端的被重掺杂的锗硅上面的金属硅化物上引出金属线作为高阻值电阻的两端。