| 发明名称 | 半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置，包括连接的温度控制单元、低温测试单元和数据采集单元，其特征在于，所述温度控制单元包括：液氮杜瓦罐(1)、置于液氮杜瓦罐(1)中的低温真空容器(2)、连接于液氮杜瓦罐(1)的温控仪(3)、薄膜电加热片(4)及恒流源(5)；所述低温测试单元包括连接位于低温真空容器2中的热电薄膜材料试样(16)的冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)，和温度范围80K至室温下适用的电动势测量线(8)。本实用新型结构简单、无运动部件、可方便地进行低温下电导率及Seebeck系数测量，且可有效实现低温下LNG冷能温差发电薄膜材料热电性能参数的测量。 | ||
| 申请公布号 | CN201903526U | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201020655543.4 | 申请日期 | 2010.12.13 |
| 申请人 | 华东理工大学 | 发明人 | 王学生;疏敏;戚学贵;代晶晶;任超 |
| 分类号 | G01N27/02(2006.01)I;G01N27/18(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人 | 刘立平 |
| 主权项 | 一种半导体薄膜材料低温下的电导率及塞贝克系数测试装置，整个测试装置包括连接的温度控制单元、低温测试单元和数据采集单元，其特征在于，所述温度控制单元包括：液氮杜瓦罐(1)、置于液氮杜瓦罐(1)中的低温真空容器(2)、连接于液氮杜瓦罐(1)的温控仪(3)、薄膜电加热片(4)及恒流源(5)；所述低温测试单元包括连接位于低温真空容器(2)中的热电薄膜材料试样(16)的冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)，和温度范围80K至室温下适用的电动势测量线(8)；所述数据采集单元包括经由冷端测温热电偶(6)及热端测温热电偶(7)、电动势测量线(8)的数据采集器(9)及其相连接的计算机(10)。 | ||
| 地址 | 200237 上海市徐汇区梅陇路130号 | ||