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Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: Ausbilden einer Siliziumelektrode (74, 78); Ausbilden einer Seitenwand-Abstandshalterstruktur (50) neben Seitenwänden der Siliziumelektrode (74, 78); Entfernen eines oberen Abschnitts (78) der Siliziumelektrode (74, 78) und Silizidieren eines restlichen Abschnitts (74) der Siliziumelektrode (74, 78); weiterhin umfassend das Reduzieren einer Höhe der Abstandshalterstruktur (50), dadurch gekennzeichnet, dass das Reduzieren der Höhe vor dem Silizidieren durchgeführt wird, und dass das Silizidieren ein vollständiges Silizidieren des restlichen Abschnitts (74) der Siliziumelektrode (74, 78) ist.
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