| 发明名称 | L形硅锗异质结晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种L形硅锗异质结晶体管及其制备方法，包括：相对于器件有源区的非对称分布的埋层；埋层与器件本征集电极区相交，形成一L形，集电极引出的通道从器件的一侧引出；另一侧衬底与集电区相接。本发明实现非对称硅锗异质结晶体管，通过降低埋层面积，有效降低基区-集电区耦合电容和集电区-衬底耦合电容，提高晶体管的截止频率，从而实现器件的高频应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102122667A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010027239.X | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈帆;张海芳;徐炯;周郑良 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种L形硅锗异质结晶体管，其特征在于，包括：相对于器件有源区的非对称分布的埋层；埋层与器件本征集电极区相交，形成一L形，集电极引出的通道从器件的一侧引出；另一侧衬底与集电区相接。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||