发明名称 高显示质量的画素电极结构
摘要 本发明提供一种高显示质量的画素电极结构,包含一透明基板,此基板上设有一资料线、一共通电极线与一第一、第二数组画素,第一数组画素形成一第一薄膜晶体管、一第一画素电极与一第一扫描线,且使共通电极线设置于第一扫描线侧方,第二数组画素形成一第二薄膜晶体管、一第二画素电极、一第二扫描线,且亦使共通电极线设置于第二扫描线侧方,另在共通电极在线设有一第一、第二通孔,其分别与第一、第二薄膜晶体管延伸端接触,在数据线的侧边设有一虚拟线,且又有一第三通孔位于虚拟线与共通电极在线。本发明不但能提升画素开口率,更能拥有较佳的共同讯号的稳定性。
申请公布号 CN101706637B 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN200910038396.8 申请日期 2009.04.03
申请人 深超光电(深圳)有限公司 发明人 柳智忠
分类号 G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 G02F1/1368(2006.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 何青瓦
主权项 一种高显示质量的画素电极结构,其特征在于:包含,一透明基板;一数据线,其设于该透明基板上;一共通电极线,其设于该透明基板上;一第一数组画素,其设于该透明基板上,以形成一第一薄膜晶体管、一第一画素电极、一第一扫描线,且该共通电极线设置于该第一扫描线侧方;一第一通孔,其位于该共通电极线上并与该第一薄膜晶体管延伸端接触;一第二数组画素,其设于该透明基板上,以形成一第二薄膜晶体管、一第二画素电极、一第二扫描线,且该共通电极线设置于该第二扫描线侧方;一第二通孔,其位于该共通电极线上并与该第二薄膜晶体管延伸端接触;一虚拟线,其设于该数据线的侧边;以及一第三通孔,其位于该虚拟线与该共通电极线上。
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