发明名称 一种多晶硅还原炉预升温系统及预升温方法
摘要 本发明公开的一种多晶硅还原炉预升温系统及预升温方法,将生产中多晶硅还原炉的尾气出口管线与待开车多晶硅还原炉的原料气进口管线连接起来。通过调节生产中多晶硅还原炉的进气流量和循环冷却水流量等从而控制其出口尾气温度达到700~800℃,并将其通入待开车的还原炉,来加热炉内的硅芯使其温度达到600~700℃,然后接通与硅芯连接的电极电源通电加热使其温度继续上升至反应所需温度1080℃左右,同时停止出口尾气的通入,而将原料气体通入还原炉内发生反应生成多晶硅。该发明由于避免了现有多晶硅还原炉预升温过程中的高压击穿程序,从而很好的解决了与其相对应的配电设施复杂昂贵、电耗巨大、存在安全隐患等问题。
申请公布号 CN102120577A 申请公布日期 2011.07.13
申请号 CN201110072931.9 申请日期 2011.03.24
申请人 天津大学 发明人 刘春江;段长春;刘冲;李雪;袁希钢
分类号 C01B33/035(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种多晶硅还原炉预升温系统,其特征在于将一台多晶硅还原炉的尾气出口管线通过控制阀门和气体流量计与另一台多晶硅还原炉的原料气进口管线连接起来。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学