| 发明名称 | 半导体器件、发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件、发光器件及其制造方法。该半导体器件包括：基底、排列在基底上的多个棒、位于在棒之间的基底上的金属层以及位于棒上和棒之间的半导体层。由于金属层的存在，提高了半导体器件的电性能和光性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102124576A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN200980130443.X | 申请日期 | 2009.07.29 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 金容进;李东键;金杜洙 |
| 分类号 | H01L33/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 武晨燕;周义刚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：基底；排列在基底上的多个棒；位于在棒之间的基底上的金属层；以及位于棒上和棒之间的半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||