| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层、氮化硅层和浅沟槽；在所述浅沟槽内形成衬底氧化层；在所述衬底氧化层上形成用于填充浅沟槽的填充氧化层；去除部分的填充氧化层直至暴露出所述氮化硅层；至少对所述填充氧化层进行氮离子注入；去除所述氮化硅层和注入有氮离子的部分的所述填充氧化层；去除所述衬垫氧化层。通过本技术方案，增加含氮离子的填充氧化层的去除速率，使得浅沟槽隔离结构的阶高得以降低，提高半导体器件的电学性能，提升半导体产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102122630A | 申请公布日期 | 2011.07.13 |
| 申请号 | CN201010022571.7 | 申请日期 | 2010.01.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何永根;陈勇 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层、氮化硅层和浅沟槽；在所述浅沟槽内形成衬底氧化层；在所述衬底氧化层上形成用于填充浅沟槽的填充氧化层；去除部分的填充氧化层直至暴露出所述氮化硅层；至少对所述填充氧化层进行氮离子注入；去除所述氮化硅层和注入有氮离子的部分的所述填充氧化层；去除所述衬垫氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||