发明名称 光学资讯记录媒体及其制造方法、制造装置、记录再生方法及记录再生装置
摘要
申请公布号 TWI345235 申请公布日期 2011.07.11
申请号 TW093123653 申请日期 2004.08.06
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 草田英夫;长田宪一;北浦英树;西内健一;山田昇;儿岛理惠
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种光学资讯记录媒体,系在圆盘状之透明基板与保护基板之间,具有至少半透明之资讯层者,其中前述资讯层具有光束导引用之螺旋状沟,且含有记录膜,该记录膜藉由从前述透明基板侧照射光束而在可进行光学检测之至少2个状态之间呈现变化,以进行资讯之记录及再生,又,以前述资讯层为第1资讯层,而该第1资讯层与保护基板之间具有1层或2层以上之追加之资讯层,且在前述第1资讯层与前述追加之第2资讯层之间、及前述追加之资讯层之间分别具有至少1个分离层,在前述多数资讯层中,至少第1资讯层在进行记录及再生之全领域中,前述资讯层之前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差在±10%以内。如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层在前述记录膜之透明基板侧具有第1介电体膜。如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层邻接于前述记录膜之保护基板侧之界面并具有第1界面膜。如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层系在前述记录膜之保护基板侧具有第2介电体膜之多层膜。如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层在前述记录膜之保护基板侧具有反射膜。如申请专利范围第5项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层在前述反射膜之保护基板侧具有透过率调整膜。如申请专利范围第2项之光学资讯记录媒体,其中前述资讯层邻接于前述记录膜之保护基板侧之界面并具有第2界面膜。一种光学资讯记录媒体之制造方法,系在具有相向配置之靶材与基板夹持器之多数成膜室内,于基板上依序形成多数具有光束导引用螺旋状沟之资讯层者,前述光学资讯记录媒体系于第1资讯层与保护基板之间具有1层或2层以上之追加之资讯层来作为前述资讯层,且在前述第1资讯层与前述追加之资讯层之间、及各资讯层间设有分离层者,且,前述制造方法系使前述多数成膜室中任一成膜室内之基板与膜材料靶材间之距离,与其他成膜室内之基板与膜材料靶材间之距离不同,以形成第1资讯层,且使前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差在±10%以内。一种光学资讯记录媒体之制造装置,系用以制造于基板上形成有多数资讯层之光学资讯记录媒体者,该制造装置设有:至少2室以上之DC溅镀成膜室,该DC溅镀成膜室包含有:电极、可在电极附近产生磁场之磁场产生构件、设于电极上且由对应1个资讯层之材料形成之靶材、及与该靶材分隔相向配置之基板夹持器;至少2室以上之RF溅镀成膜室,该RF溅镀成膜室包含有:电极、可在电极附近产生磁场之磁场产生构件、设于电极上且由对应1个资讯层之材料形成之靶材、及与该靶材分隔相向配置之基板夹持器;以及基板搬送构件,用以移动各基板夹持器以将业已装设于基板夹持器之上述基板搬送到上述各成膜室,并依序进行成膜,又,令各DC溅镀成膜室中之电极与基板夹持器之距离分别为Hd1、Hd2、…Hdm(m为DC溅镀成膜室之数目),令各RF溅镀成膜室中之电极与基板夹持器之距离分别为Hr1、Hr2、…Hrn(n为RF溅镀成膜室之数目),令DC溅镀成膜室中之靶材直径为L,设定距离Hd1、Hd2、…Hdm之任一者为0.15L以上并小于0.19L,且设定另一者为0.21L以上并小于0.25L。一种光学资讯记录媒体之制造装置,系用以制造于基板上形成有多数资讯层之光学资讯记录媒体者,该制造装置设有:至少2室以上之DC溅镀成膜室,该DC溅镀成膜室包含有:电极、可在电极附近产生磁场之磁场产生构件、设于电极上且由对应1个资讯层之材料形成之靶材、及与该靶材分隔相向配置之基板夹持器;至少2室以上之RF溅镀成膜室,该RF溅镀成膜室包含有:电极、可在电极附近产生磁场之磁场产生构件、设于电极上且由对应1个资讯层之材料形成之靶材、及与该靶材分隔相向配置之基板夹持器;以及基板搬送构件,用以移动各基板夹持器以将业已装设于基板夹持器之光碟基板搬送到上述各成膜室,并依序进行成膜,又,令各DC溅镀成膜室中之电极与基板夹持器之距离分别为Hd1、Hd2、…Hdm(m为DC溅镀成膜室之数目),令各RF溅镀成膜室中之电极与基板夹持器之距离分别为Hr1、Hr2、…Hrn(n为RF溅镀成膜室之数目),令RF溅镀成膜室中之靶材直径为L,设定距离Hr1、Hr2、…Hrn之任一者为0.20L以上并小于0.24L,且设定另一者为0.26L以上并小于0.30L。如申请专利范围第9或10项之光学资讯记录媒体之制造装置,系令RF溅镀成膜室中之靶材直径为L,且设定距离Hr1、Hr2、…Hrn之任一者与其他距离之差异在0.5L以上。如申请专利范围第9或10项之光学资讯记录媒体之制造装置,系令DC溅镀成膜室中之靶材直径为L,且设定距离Hd1、Hd2、…Hdm之任一者与其他距离之差异在0.5L以上。如申请专利范围第10项之光学资讯记录媒体之制造装置,其中前述基板夹持器之直径设定在0.4L以上0.8L以下。如申请专利范围第9项之光学资讯记录媒体之制造装置,其中前述基板夹持器之直径设定在0.4L以上0.8L以下。如申请专利范围第9或10项之光学资讯记录媒体之制造装置,其中前述光学资讯记录媒体系在基板上至少依序形成有第1介电体层、反射层、第2介电体层、记录层、第3介电体层,且系藉由具有波长350nm以上500nm以下之雷射光且透镜开口数0.7以上之光学系统之再生装置进行记录再生者。如申请专利范围第9或10项之光学资讯记录媒体之制造装置,其中前述光学资讯记录媒体系在同心圆上形成凹凸沟之基板上形成多数资讯层。一种光学资讯记录媒体之记录再生方法,该光学资讯记录媒体系在圆盘状之透明基板与保护基板之间,具有至少半透明之资讯层,前述资讯层具有光束导引用之螺旋状沟,且含有记录膜,该记录膜藉由从前述透明基板侧照射光束而在可进行光学检测之至少2个状态之间呈现变化,以进行资讯之记录及再生,又,在进行记录及再生之全领域中,前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差在±10%以内者,而该记录再生方法系对前述光学资讯记录媒体使用波长350nm以上500nm以下且透镜开口数0.6以上之光学系统进行记录及再生。如申请专利范围第17项之光学资讯记录媒体之记录再生方法,其中前述光学资讯记录媒体系以前述资讯层为第1资讯层,而该第1资讯层与保护基板之间具有1层或2层以上之追加之资讯层,且在前述第1资讯层与前述追加之第2资讯层之间、及前述追加之资讯层间设有分离层者,又,至少透明基板侧之第1资讯层在进行记录与再生之全领域中,前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差在±10%以内。一种光学资讯记录媒体之记录再生装置,该光学资讯记录媒体系在圆盘状之透明基板与保护基板之间,具有至少半透明之资讯层,前述资讯层具有光束导引用之螺旋状沟,且含有记录膜,该记录膜藉由从前述透明基板侧照射光束而在可进行光学检测之至少2个状态之间呈现变化,以进行资讯之记录及再生,且,前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差,在进行记录及再生之全领域中,在±10%以内者,而该记录再生装置具有用以对前述光学资讯记录媒体进行记录及再生所使用之波长350nm以上500nm以下且透镜开口数0.6以上之光学系统。如申请专利范围第19项之光学资讯记录媒体之记录再生装置,其中前述光学资讯记录媒体系以前述资讯层为第1资讯层,而该第1资讯层与保护基板之间具有1层或2层以上之追加之资讯层,且在前述第1资讯层与前述追加之第2资讯层之间、及前述追加之资讯层间设有分离层者,又,至少透明基板侧之第1资讯层在进行记录及再生之全领域中,前述沟之内周侧及外周侧之斜面部分之膜厚差在±10%以内。
地址 日本