发明名称 奈米级氧化铁棒之制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.07.11
申请号 TW095100950 申请日期 2006.01.10
申请人 国立中正大学 发明人 李元尧;陈恭;许力介
分类号 C01G49/02;B82B3/00 主分类号 C01G49/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种奈米级氧化铁棒之制造方法,包含下列步骤:(a)将一高分子材料与一化合物依比例混合成一溶液;(b)以一第一装置加热该溶液,并搅拌至该溶液呈一黏稠状混合物,其中该第一装置的温度设定为摄氏约70度;(c)将该黏稠状混合物均匀涂布于一基材上;以及(d)将该基材置于一第二装置中加热,即可成长出复数个奈米级氧化铁棒,其中该第二装置的反应昇温条件中之昇温速率为每分钟摄氏20度(20℃/min),反应温度为摄氏350至750度,以及恒温时间为约4小时。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该高分子材料为聚乙二醇(Polyethylene Glycol;PEG)。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该化合物为硫酸铁(Ferric Sulfate Hydrate;Fe2(SO4)3.nH2O)。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该化合物为氢氧化铁(Iron(III)Oxide Hydrate;FeO(OH))。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该化合物为或硝酸铁(Ferric Nitrate Hydrate;Fe(NO3)3.9H2O)。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第一装置为加热搅拌器。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该基材为碳钢片。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该基材为纯度为99.99%的纯铁片。如申请专利范围第1项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第二装置为高温炉。一种奈米级氧化铁棒之制造方法,包含下列步骤:(a)将一基材置于一第三装置中清洗,该第三装置更包含一溶液;(b)将一高分子材料与一金属触媒化合物依照一比例混合,再与蒸馏水混合成一水溶液;(c)把该水溶液以一第四装置加热,并搅拌该水溶液成一黏稠状混合物,该第四装置加热的温度设定为摄氏约70度;(d)以一第五装置将该黏稠状混合物均匀涂布于该基材上,并进行一乾燥制程;以及(e)把该基材置于一第六装置中加热,即可成长出复数个奈米级氧化铁棒,其中该第六装置的反应昇温条件中之昇温速率为每分钟摄氏20度(20℃/min),反应温度为摄氏350至750度,以及恒温时间为约4小时。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该基材为低碳钢片。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该基材为纯度为99.99%的纯铁片。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第三装置为超音波震荡器。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该溶液为乙醇。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该高分子材料为聚乙二醇。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该金属触媒化合物为硫酸铁。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该金属触媒化合物为氢氧化铁。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该金属触媒化合物为硝酸铁。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该比例为一重量比例,该重量比例的比值范围为1至1000。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第四装置为加热搅拌器。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第五装置为旋转涂布机。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该乾燥制程在室温下进行,直至该前驱物之重量不再下降为止。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该第六装置为高温炉。如申请专利范围第23项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该高温炉内的气氛为空气。如申请专利范围第10项所述之奈米级氧化铁棒之制造方法,其中该些奈米级氧化铁棒的尺寸范围为8至70奈米。
地址 嘉义县民雄乡大学路168号