| 主权项 |
一种发光二极体，其包括一第一电极、一第二电极及一设置于该第一电极上之发光元件，该第一电极包括一第一反射面及一与该第一反射面连接之第二反射面，该第一反射面环绕该发光元件形成一圆锥内面，该第二反射面为一向外凸或向内凹的弧面，该发光元件具有复数发光区域，该第一电极及该第二电极用于为该发光元件提供电流，该第一及第二反射面用于反射该发光元件所发射之光线，该复数发光区域向空间复数方向发光。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该发光元件包括四P型层、四N型层及复数发光层，该四P型层、该四N型层及该复数发光层构成一立方体，该四P型层及该四N型层设置于该立方体之八角，该立方体上之每一P型层之体对角线及面对角线处为一N型层，该发光层设置于该P型层及该N型层之间，每一该P型层、该发光层及该N型层构成一PN接面。如申请专利范围第2项所述之发光二极体，其中，该第一电极连接至该四P型层，该第二电极连接至该四N型层，该第一电极为该四P型层提供一第一电压，该第二电极为该四N型层提供一第二电压，该第一电压大于该第二电压。如申请专利范围第3项所述之发光二极体，其中，该第一及第二电极系通过导电金线连接至该发光元件。如申请专利范围第2项所述之发光二极体，其中，该第一电极连接至该四N型层，该第二电极连接至该四P型层，该第一电极为该四N型层提供一第一电压，该第二电极为该四P型层提供一第二电压，该第一电压小于该第二电压。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中，该第一反射面用于反射该发光元件发射之光线及该第二反射面所反射之光线。如申请专利范围第6项所述之发光二极体，其中，该第二反射面与该第一反射面连接并位于该发光元件下方。如申请专利范围第7项所述之发光二极体，其中，该第二反射面中心具有一凸块，该发光元件粘接于该凸块上。如申请专利范围第8项所述之发光二极体，其中，该第二反射面系一半凹球面。如申请专利范围第8项所述之发光二极体，其中，该第二反射面系一半凸球面。一种发光二极体，其包括一第一电极、一第二电极、一设置于该第一电极上之发光元件及一透明外壳，该第一电极包括一第一反射面及一与该第一反射面连接之第二反射面，该第一反射面环绕该发光元件形成一圆锥内面，该第二反射面为一向外凸或向内凹的弧面，该发光元件具有复数发光结构，该透明外壳用于收容该第一电极、该第二电极及该发光元件，该第一电极及该第二电极用于为该发光元件提供电流，该第一及第二反射面用于反射该发光元件所发射之光线，该复数发光结构向空间复数方向发光。如申请专利范围第11项所述之发光二极体，其中，该发光元件包括四P型层、四N型层及复数发光层，该四P型层、该四N型层及该复数发光层构成一立方体，该四P型层及该四N型层设置于该立方体之八角，该立方体上之每一P型层之体对角线及面对角线处为一N型层，该发光层设置于该P型层及该N型层之间，每一该P型层、该发光层及该N型层构成一PN接面。如申请专利范围第12项所述之发光二极体，其中，该第一电极连接至该四P型层，该第二电极连接至该四N型层，该第一电极为该四P型层提供一第一电压，该第二电极为该四N型层提供一第二电压，该第一电压大于该第二电压。如申请专利范围第11项所述之发光二极体，其中，该第一反射面用于反射该发光元件发射之光线及该第二反射面所反射之光线。如申请专利范围第14项所述之发光二极体，其中，该第二反射面与该第一反射面连接并位于该发光元件下方。如申请专利范围第15项所述之发光二极体，其中，该第二反射面系一半凸球面。如申请专利范围第11项所述之发光二极体，其中，该透明外壳系一密闭外壳，其内部具有一密闭空间。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中，该透明外壳内部为真空。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中，该透明外壳内部充入有惰性气体。如申请专利范围第19项所述之发光二极体，其中，该惰性气体为氦气、氖气、氩气、氙气中之任一种，或上述几种气体之混合。 |
