| 发明名称 | 三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，该三结叠层太阳能薄膜电池包括顶电池、中间电池和底电池，各电池分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中，顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。上述三结叠层太阳能薄膜电池的制备方法中，形成顶电池本征层时，在硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5Torr的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜。通过本发明，能提高顶电池的带隙宽度，扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，克服S-W效应，从而提高光电转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102117860A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010033931.3 | 申请日期 | 2010.01.06 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方能源科技有限公司 | 发明人 | 李贵君;韩晓艳;宋行宾 |
| 分类号 | H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种三结叠层太阳能薄膜电池，包括顶电池、中间电池和底电池，分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其特征在于：所述顶电池的本征层为晶粒尺寸为2‑10纳米以及晶化率为10‑20％的本征纳米硅薄膜。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||