双应力膜互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法

摘要

一种双应力膜CMOS的制造方法，包括：提供具有第一和第二晶体管的半导体衬底；在第一晶体管上形成掺杂的第一应力膜；在该第一应力膜和第二晶体管上形成第二应力膜，该第二应力膜厚度至少等于第一晶体管栅极介质层、栅极与第一应力膜厚度之和；平坦化所述第二应力膜，使第一应力膜表面被露出；在第一应力膜被露出的表面上和第二晶体管栅极上方的第二应力膜上形成光刻胶图案，第二晶体管栅极上方的第二应力膜上的光刻胶图案的线宽大于第二晶体管栅极的线宽；刻蚀未被光刻胶图案覆盖的第二应力膜，至所述第一应力膜上的第二应力膜被去除为止。本发明在张应力膜和压应力膜层的接合处不会产生凸起的缺陷。

主权项

一种双应力膜互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供具有第一晶体管和第二晶体管的半导体衬底，其中第一晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；第二晶体管对应为PMOS晶体管或NMOS晶体管；在第一晶体管上形成用于提高第一晶体管载流子迁移率的第一应力膜；在第一应力膜和第二晶体管上形成用于提高第二晶体管载流子迁移率的第二应力膜，所述第二应力膜的厚度至少等于所述第一晶体管的栅极介质层、栅极与第一应力膜的厚度之和；平坦化所述第二应力膜，使所述第一晶体管栅极上的第一应力膜的表面被露出；在所述第一应力膜被露出的表面上和第二晶体管栅极上方的第二应力膜上形成光刻胶图案，其中，所述第二晶体管栅极上方的第二应力膜上的光刻胶图案的线宽大于该第二晶体管的栅极的线宽；刻蚀未被所述光刻胶图案覆盖的第二应力膜，直至去除所述第一应力膜上的第二应力膜；其中，若所述第一晶体管为NMOS晶体管，则第一应力膜为掺杂应力膜；若第二晶体管为NMOS晶体管，则第二应力膜为掺杂应力膜。