制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法

摘要

本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。

主权项

一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：选择半导体基材，在该半导体基材上生长起保护及绝缘作用的介质层；步骤2：在该介质层上刻蚀出所需要的电容图形，包括介质层的窗口、电极图形以及微机械结构的三维图形；步骤3：在半导体基材表面进行与半导体基材材料极性相反的掺杂，在半导体基材表面处形成耗尽层；步骤4：将金属蒸镀在P区和N区表面进行电极的制备；步骤5：对形成的电极进行热处理，降低金属半导体的接触电阻；步骤6：将导电胶填充于半导体基材表面上的沟道之中；步骤7：对该导电胶进行减薄，形成光滑的表面，从而形成电极的区域的电极凸点；步骤8：对制备好凸点的外延片表面进行保护，并对外延片的下表面进行减薄；步骤9：对外延片进行切割制成单独的电容器，完成电容器制作。