线性位移传感器

摘要

一种线性位移传感器(20)使用设置成矩形阵列的四个隔开的磁体(28、30、32、34)并具有对称轴线(24)。每个磁体具有向中心线升高的至少两个阶(38、42)的阶梯形状。阵列的每个磁体具有单个N-S，且关于对称轴线(24)设置成镜像的磁体具有相反的磁极，而位于由矩形阵列限定的对角线上的磁体具有面向对称轴线的相同极性。线性位移传感器(20)利用例如可编程霍尔效应传感器的磁场强度传感器(22)，该传感器(22)被安装以沿对称轴线(24)相对于磁体阵列移动。选择限定磁体(28、30、32、34)的阶梯形状的阶(38、42)的高度以沿对称轴线的所选部分产生所选线性度的磁场。

主权项

一种线性位移传感器(20、74)，包括：对称地设置以形成矩形的四个角的四个隔开的磁体(28、30、32、34)，所述矩形限定两条对角线，所述对角线相交以限定中点，而对称轴线(24)穿过所述中点并平分由对角线限定的角，每个磁体(28、30、32、34)具有面向所述对称轴线(24)的部分；每个磁体(28、30、32、34)具有面向所述对称轴线(24)的磁极，其中位于同一对角线上的磁体具有面向所述对称轴线(24)的相同磁极，而相对所述对称轴线(24)对称设置的磁体具有相反磁极；以及磁场强度传感器(22)，被设置成相对于所述四个磁体(28、30、32、34)基本沿对称轴线(24)作相对运动，其中，第一磁体、第二磁体、第三磁体和第四磁体(28、30、32、34)各自具有朝向所述对称轴线(24)的部分，这些部分形成具有至少两个阶的阶梯形状，第一阶(38)与所述对称轴线(24)形成间隔，而第二阶(42)比所述第一阶(38)更远离所述对称轴线(24)。