| 发明名称 | 齐纳二极管的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体技术领域的齐纳二极管的制备方法，至少包括：在P型衬底内形成N型漂移区域，且进行第一次退火处理；在所述N型漂移区域内进行1次或多次N型离子注入，所述N型漂移区域和所述N型离子注入共同形成N型掺杂区域，所述N型离子注入包括PMOS势阱的离子注入。本发明通过选择PMOS势阱离子掺杂的次数和PMOS势阱离子掺杂的工作电压，可得到具有不同击穿电压的齐纳二极管，且齐纳二极管的击穿电压比较大；采用现有技术中制备NGRD和PMOS势阱的方法来完成N型掺杂区域的注入，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102117747A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201110028615.1 | 申请日期 | 2011.01.26 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超;唐树澍;沈亮 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，至少包括：在P型衬底内形成N型漂移区域，且进行第一次退火处理；在所述N型漂移区域内进行1次或多次N型离子注入，所述N型漂移区域和所述N型离子注入共同形成N型掺杂区域，所述N型离子注入包括P沟道金属氧化物半导体势阱的离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||