发明名称 纳米碳生成装置
摘要 一种纳米碳生成装置,其特征在于,具备:还原气氛的加热容器(11);加热源,配置在该加热容器的外周部;碳氢化合物注入喷嘴(15),配置在上述加热容器的上游侧,向加热容器内进行碳氢化合物的喷雾;以及生成纳米碳排出喷嘴(18),配置在上述加热容器的下游侧;在加热容器的内面上配置金属基板(12),从碳氢化合物注入喷嘴(15)连续地进行碳氢化合物的喷雾,由此使碳氢化合物在金属基板上反应而成长纳米碳(17),使成长的生成纳米碳(17)从金属基板(12)剥离,并从上述排出喷嘴(18)排出生成纳米碳。
申请公布号 CN102119120A 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200980130667.0 申请日期 2009.07.23
申请人 株式会社东芝 发明人 杉山英一;井手胜记;小城和高;野间毅
分类号 C01B31/02(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 夏斌;陈萍
主权项 一种纳米碳生成装置,其特征在于,具备:还原气氛的加热容器;加热源,配置在该加热容器的外周部;碳氢化合物注入喷嘴,配置在上述加热容器的上游侧,向加热容器内进行碳氢化合物的喷雾;以及生成纳米碳排出喷嘴,配置在上述加热容器的下游侧,在加热容器的内面上配置金属基板,由碳氢化合物注入喷嘴连续地进行碳氢化合物的喷雾,由此使其在金属基板上反应而成长纳米碳,使成长的生成纳米碳从金属基板剥离,并从上述排出喷嘴排出生成纳米碳。
地址 日本东京都