半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅层的制造方法，该方法能够用于诸如SRAM等半导体器件的制造中。所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成所述半导体器件中所包含的晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；通过选择性去除所述绝缘层来形成接触孔，通过所述接触孔露出所述晶体管的区域；在所述接触孔中形成硅层；在所述绝缘层和所述硅层上形成金属层；通过对所述硅层和所述金属层进行热处理来形成金属硅化物层；去掉所述金属层；在所述绝缘层和所述金属硅化物层上形成非晶硅层；以及通过对所述非晶硅层进行热处理来形成多晶硅层。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体基底上形成所述半导体器件中所包含的晶体管；在所述晶体管上形成绝缘层；通过选择性去除所述绝缘层来形成接触孔，通过所述接触孔露出所述晶体管的区域；在所述接触孔中形成硅层；在所述绝缘层和所述硅层上形成用作催化剂的金属层；通过对所述硅层和所述金属层进行热处理来形成金属硅化物层；去掉未形成金属硅化物的剩余金属层；在所述绝缘层和所述金属硅化物层上形成非晶硅层；以及利用作为催化剂的所述金属硅化物层，通过对所述非晶硅层进行热处理来形成多晶硅层。