| 主权项 |
一种半导体基底的制造方法，其包含下列步骤：于主动层的晶圆上形成具有不大于50nm之厚度的氧化物膜，其中该晶圆之一表面侧上形成一矽层以当作该主动层；将氢离子植入该主动层之该晶圆以形成氢离子植入层，以自该氧化物膜喷溅第一量的氧(NHO)；从该表面侧植入氢以外离子至较该氢离子植入层浅的深度，以自该氧化物膜喷溅第二量的氧(NIO)，其中该第一量的氧及该第二量的氧系考量由下列方程式(I)所表示之产生抑制氢扩散之效果的总因子数(ND)及NID而决定：ND=NHO+NIO+NID………(I)其中ND：产生抑制氢扩散之效果的总因子数；NHO：经由氢离子植入而导入主动层的氧；NIO：经由氢以外离子植入而导入主动层的氧；NID：经由氢以外离子植入而导入主动层的缺陷，ND>4.2×1014atoms/cm2；经由该主动层的该晶圆上之该氧化物膜层压该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆；及接着于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆。一种半导体基底的制造方法，其包含：于主动层的晶圆上形成具有不大于50nm之厚度的氧化物膜，其中该晶圆之一表面侧上形成一矽层以当作该主动层；将氢以外离子植入该主动层之该晶圆至较该主动层之该晶圆的剥离区浅的位置；将氢离子植入该剥离区以形成氢离子植入层；经由该主动层的该晶圆上之氧化物膜层压该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆；及接着于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆；其中系执行该将氢以外离子植入以自该氧化物膜喷溅第一量的氧(NIO)；其中系执行该将氢离子植入以自该氧化物膜喷溅第二量的氧(NHO)；其中系在该将氢以外离子植入之后将氢离子植入；其中该第一量的氧及该第二量的氧系考量由下列方程式(I)所表示之产生抑制氢扩散之效果的总因子数(ND)及NID而决定：ND=NHO+NIO+NID………(I)其中ND：产生抑制氢扩散之效果的总因子数；NHO：经由氢离子植入而导入主动层的氧；NIO：经由氢以外离子植入而导入主动层的氧；NID：经由氢以外离子植入而导入主动层的缺陷，ND>4.2×1014atoms/cm2。如申请专利范围第1或2项之半导体基底的制造方法，其中于层压该主动层的该晶圆至该支撑基底的该晶圆之前实施电浆处理。 |
