主权项 |
一种用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,包含:侦测复数个长度,每一长度对应于藉由该光学储存装置所存取之一光学储存媒体上之一凹坑或一平面;进行对应于复数个资料集类型之计算,以及产生分别对应于该等资料集类型之复数个资料对时脉边缘偏差,其中该等资料集类型至少包含一凹坑平面凹坑资料集类型或至少包含一平面凹坑平面资料集类型;以及使用该等资料对时脉边缘偏差以微调该等写入策略参数,其中该等写入策略参数分别对应于该等资料集类型。如申请专利范围第1项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:依据存取该光学储存媒体之该光学储存装置所产生之一重建讯号来侦测该等长度。如申请专利范围第2顶所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:分切该重建讯号以产生一分切讯号;以及侦测该分切讯号之复数个上升边缘与复数个下降边缘之间的复数个间距或该分切讯号之该等下降边缘与该等上升边缘之间的复数个间距,来作为该等长度,其中每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第3项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤更包含:计算复数个资料对时脉边缘长度,每一资料对时脉边缘长度系为一第一参考时脉之一上升边缘或一下降边缘以及该分切讯号之一上升边缘或一下降边缘之间的一间距;以及计算复数个差值以产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差,每一差值系为一资料对时脉边缘长度与一目标资料对时脉边缘长度之间的差值,其中该目标资料对时脉边缘长度系为对应于一特定资料集类型之一预定值、或为对应于该特定资料集类型之复数个资料对时脉边缘长度的一平均值。如申请专利范围第4项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,更包含:依据该分切讯号来产生该第一参考时脉。如申请专利范围第5项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中依据该分切讯号来产生该第一参考时脉之步骤更包含利用一锁相回路来产生该第一参考时脉,以及侦测该等长度之步骤更包含:依据该第一参考时脉来侦测该等长度。如申请专利范围第5项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中依据该分切讯号来产生该第一参考时脉之步骤更包含利用一锁相回路来产生该第一参考时脉,以及侦测该等长度之步骤更包含:使用一振荡器来产生一第二参考时脉;以及依据该第二参考时脉来侦测该等长度。如申请专利范围第2项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:取样该重建讯号以产生一数位讯号;以及当该数位讯号之值跨越一预定值时,侦测复数个时间点之间的间距,以产生该等长度,其中每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第8项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤更包含:当该数位讯号之值跨越该预定值时,计算该等时间点附近之该数位讯号之值与该预定值之间的复数个差值,以产生该等资料对时脉边缘偏差。如申请专利范围第8项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中取样该重建讯号之步骤更包含:依据一参考时脉来对该重建讯号进行类比数位转换,以产生该数位讯号;以及使用一锁相回路,依据该数位讯号来产生该参考时脉。如申请专利范围第1项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,更包含:于系统或晶片上自动地微调该等写入策略参数。如申请专利范围第1项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤更包含:将复数个资料集分类为该等资料集类型,每一资料集包含分别对应于一凹坑与两相邻平面之长度或分别对应于一平面与两相邻凹坑之长度;以及计算分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差。如申请专利范围第1项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中在进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤中,每一资料集类型系对应于一特定目标凹坑长度与复数个特定目标平面长度之一组合、或一特定目标平面长度与复数个特定目标凹坑长度之一组合。如申请专利范围第1项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤更包含:取得该等资料对时脉边缘偏差大于一第一门槛值之资料集类型;于资料对时脉边缘偏差大于该第一门槛值之该等资料集类型中,取得该等资料集发生次数多于一第二门槛值所指示之次数之资料集类型;以及计算对应于资料集发生次数多于该第二门槛值所指示之次数之该等资料集类型之该等写入策略参数的调整量;其中该等调整量系被用于微调该等写入策略参数。一种用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,包含:一侦测器,用来侦测复数个长度,每一长度对应于藉由该光学储存装置所存取之一光学储存媒体上之一凹坑或一平面;一计算模组,耦接于该侦测器,用以进行对应于复数个资料集类型之计算,以及产生分别对应于该等资料集类型之复数个资料对时脉边缘偏差,其中该等资料集类型至少包含一凹坑平面凹坑资料集类型或至少包含一平面凹坑平面资料集类型;以及一控制器,耦接于该计算模组,该控制器利用该等资料对时脉边缘偏差以微调分别对应于该等资料集类型之该等写入策略参数。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该侦测器依据存取该光学储存媒体之该光学储存装置所产生之一重建讯号来侦测该等长度。如申请专利范围第16项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,更包含:一分切器,用来分切该重建讯号以产生一分切讯号;其中该侦测器侦测该分切讯号之复数个上升边缘与复数个下降边缘之间的复数个间距或该分切讯号之该等下降边缘与该等上升边缘之间的复数个间距,来作为该等长度,以及每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第17项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该计算模组计算复数个资料对时脉边缘长度以及复数个差值,以产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差,其中每一资料对时脉边缘长度系为一第一参考时脉之一上升边缘或一下降边缘以及该分切讯号之一上升边缘或一下降边缘之间的间距,以及每一差值系为一资料对时脉边缘长度与一目标资料对时脉边缘长度之间的差值,其中该目标资料对时脉边缘长度系为对应于一特定资料集类型之一预定值、或为对应于该特定资料集类型之复数个资料对时脉边缘长度的一平均值。如申请专利范围第18项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其更包含:一锁相回路,用以依据该分切讯号来产生该第一参考时脉;其中该侦测器与该计算模组均耦接于该锁相回路,以及该侦测器依据该第一参考时脉来侦测该等长度。如申请专利范围第18项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其更包含:一锁相回路,用以依据该分切讯号来产生该第一参考时脉;以及一振荡器,用以产生一第二参考时脉;其中该侦测器系耦接于该振荡器且依据该第二参考时脉来侦测该等长度,以及该计算模组系耦接于该锁相回路。如申请专利范围第16项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,更包含:一取样电路,用以取样该重建讯号以产生一数位讯号;其中该侦测器系耦接于该取样电路,且当该数位讯号之值跨越一预定值时,侦测复数个时间点之间的间距以产生该等长度,以及每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第21项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中当该数位讯号之值跨越该预定值时,该计算模组计算该等时间点附近之该数位讯号之值与该预定值之间的差值,以产生该等资料对时脉边缘偏差。如申请专利范围第21项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该取样电路更包含:一类比数位转换器,用以依据一参考时脉来对该重建讯号进行类比数位转换,以产生该数位讯号;以及一锁相回路,耦接于该类比数位转换器,用以依据该数位讯号来产生该参考时脉。如申请专利范围第21项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该取样电路更包含:一类比数位转换器,用来对该重建讯号进行类比数位转换;一内插器,耦接于该类比数位转换器,用来依据一参考时脉以及藉由该类比数位转换器所产生之结果来进行一内插运算,以产生该数位讯号;以及一锁相回路,耦接于该内插器,用以依据该数位讯号来产生该参考时脉。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该等写入策略参数系于系统或晶片上被自动地微调。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该计算模组更包含:一型样依附分类器,用来将复数个资料集分类为该等资料集类型,每一资料集包含分别对应于一凹坑与两相邻平面之长度、或分别对应于一平面与两相邻凹坑之长度;以及一资料对时脉边缘偏差计算器,耦接于该型样依附分类器,用来计算分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中于该计算模组所进行之计算中,每一资料集类型系对应于一特定目标凹坑长度与复数个特定目标平面长度之一组合、或一特定目标平面长度与复数个特定目标凹坑长度之一组合。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该系统实质上系为该光学储存装置。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该系统系为置于该光学储存装置中之一电路,或该系统系为耦接于该光学储存装置之一电路。如申请专利范围第15项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之系统,其中该计算模组取得该等资料对时脉边缘偏差大于一第一门槛值之资料集类型,并于资料对时脉边缘偏差大于该第一门槛值之该等资料集类型中,取得该等资料集发生次数多于一第二门槛值所指示之次数之资料集类型,以及计算对应于资料集发生次数多于该第二门槛值所指示之次数之该等资料集类型之该等写入策略参数的调整量;其中该等调整量系被用于微调该等写入策略参数。一种用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,包含:侦测复数个长度,每一长度对应于藉由该光学储存装置所存取之一光学储存媒体上之一凹坑或一平面;进行对应于复数个资料集类型之计算,以及产生分别对应于该等资料集类型之复数个资料对时脉边缘偏差,其中进行对应于该等资料集类型之计算以及产生分别对应于该等资料集类型之该等资料对时脉边缘偏差之步骤更包含:取得资料对时脉边缘偏差大于一第一门槛值之资料集类型;于资料对时脉边缘偏差大于该第一门槛值之该等资料集类型中,取得资料集发生次数多于一第二门槛值所指示之次数之资料集类型;以及计算对应于资料集发生次数多于该第二门槛值所指示之次数之该等资料集类型之该等写入策略参数的调整量;以及利用该等调整量以微调该等写入策略参数。如申请专利范围第31项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:依据存取该光学储存媒体之该光学储存装置所产生之一重建讯号来侦测该等长度。如申请专利范围第32项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:分切该重建讯号以产生一分切讯号;以及侦测该分切讯号之复数个上升边缘与复数个下降边缘之间的复数个间距或该分切讯号之该等下降边缘与该等上升边缘之间的复数个间距,来作为该等长度,其中每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第32项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,其中侦测该等长度之步骤更包含:取样该重建讯号以产生一数位讯号;以及当该数位讯号之值跨越一预定值时,侦测复数个时间点之间的间距,以产生该等长度,其中每一间距系对应于一凹坑或一平面。如申请专利范围第31项所述之用来微调光学储存装置之写入策略参数之方法,更包含:于系统或晶片上自动地微调该等写入策略参数。 |