发明名称 低功率可变增益放大器
摘要
申请公布号 TWI344750 申请公布日期 2011.07.01
申请号 TW096144530 申请日期 2007.11.23
申请人 慧荣科技股份有限公司 发明人 白承昊;黄明运
分类号 H03F3/45;H03G3/30 主分类号 H03F3/45
代理机构 代理人 陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼
主权项 一种低功率可变增益放大器,包含:一负载块,第一及第二负载电流自一第一源电压流经该负载块;一第一差分输入讯号源,包含一端子及另一端子,该第一差分输入讯号源之该端子连接至一第二源电压,该第一差分输入讯号源之该另一端子连接至一可变增益放大块,该第一差分输入讯号源并吸收对应于一第一差分输入电流讯号之一值之电流;一第二差分输入讯号源,包含一端子及另一端子,该第二差分输入讯号源之该端子连接至该第二源电压,该第二差分输入讯号源之该另一端子连接至该可变增益放大块,该第二差分输入讯号源并吸收对应于一第二差分输入电流讯号之一值之电流,该可变增益放大块因应一第一及一第二增益控制讯号以及该等第一及第二差分输入电流讯号而吸收一第一及一第二差分输出电流讯号以及一第一及一第二相消性补偿电流讯号,其中该等第一及第二差分输出电流讯号分别系为该等第一及第二负载电流之分支电流;以及一直流偏压稳定器,用于处理该等第一及第二相消性补偿电流讯号以及一第一及一第二偏流,以使该等第一及第二负载电流包含固定之直流电流分量,其中该等第一及第二偏流分别系为该等第一及第二负载电流之分支电流;其中被吸收至该等第一及第二差分输入讯号源之该等电流包含直流电流分量及交流电流分量,该等第一与第二差分输入讯号源之该等直流电流分量具有相同之值,且其该等交流电流分量具有180°之相位差。如请求项1所述之低功率可变增益放大器,其中该可变增益放大块包含:一第一双极电晶体,包含一用于吸收该第一差分输出电流讯号之端子、另一端子、以及一基极端子,其中该另一端子连接至该第一差分输入讯号源之该另一端子,且该基极端子被施加该第一增益控制讯号;一第二双极电晶体,包含一用于吸收该第一相消性补偿电流讯号之端子、另一端子、以及一基极端子,其中该另一端子连接至该第一差分输入讯号源之该另一端子,且该基极端子被施加该第二增益控制讯号;一第三双极电晶体,包含一用于吸收该第一相消性补偿电流讯号之端子、另一端子、以及一基极端子,其中该另一端子连接至该第二差分输入讯号源之该另一端子,且该基极端子被施加该第二增益控制讯号;以及一第四双极电晶体,包含一用于吸收该第二差分输出电流讯号之端子、另一端子、以及一基极端子,其中该另一端子连接至该第二差分输入讯号源之该另一端子,且该基极端子被施加该第一增益控制讯号。如请求项1所述之低功率可变增益放大器,其中该可变增益放大块包含:一第一金属氧化物半导体电晶体,包含一用于吸收该第一差分输出电流讯号之端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该另一端子连接至该第一差分输入讯号源之该另一端子,且该闸极端子被施加该第一增益控制讯号;一第二金属氧化物半导体电晶体,包含一用于吸收该第一相消性补偿电流讯号之端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该另一端子连接至该第一差分输入讯号源之该另一端子,且该闸极端子被施加该第二增益控制讯号;一第三金属氧化物半导体电晶体,包含一用于吸收该第一相消性补偿电流讯号之端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该另一端子连接至该第二差分输入讯号源之该另一端子,且该闸极端子被施加该第二增益控制讯号;以及一第四金属氧化物半导体电晶体,包含一用于吸收该第二差分输出电流讯号之端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该另一端子连接至该第二差分输入讯号源之该另一端子,且该闸极端子被施加该第一增益控制讯号。如请求项1所述之低功率可变增益放大器,其中该直流偏压稳定器包含:一第一偏压电阻器,包含一端子以及另一端子,该端子连接至该第一偏流所流经之一节点,且该第一相消性补偿电流讯号流经该另一端子;以及一第二偏压电阻器,包含一端子以及另一端子,该端子连接至该第二偏流所流经之一节点,且该第二相消性补偿电流讯号流经该另一端子,其中该第一相消性补偿电流讯号所流经之该节点与该第二相消性补偿电流讯号所流经之该节点相互连接。如请求项1所述之低功率可变增益放大器,其中该直流偏压稳定器包含:一第一偏压双极电晶体,包含一端子、另一端子、以及一基极端子,该端子连接至该第一偏流所流经之一节点,该第一相消性补偿电流讯号流经该另一端子,且该基极端子被施加一偏压;以及一第二偏压双极电晶体,包含一端子、另一端子、以及一基极端子,该端子连接至该第二偏流所流经之一节点,该第二相消性补偿电流讯号流经该另一端子,且该基极端子被施加该偏压,其中该第一相消性补偿电流讯号所流经之该节点与该第二相消性补偿电流讯号所流经之该节点相互连接。如请求项5所述之低功率可变增益放大器,其中该直流偏压稳定器更包含一偏压产生器,用于产生该偏压。如请求项1所述之低功率可变增益放大器,其中该直流偏压稳定器包含:一第一偏压金属氧化物半导体电晶体,包含一端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该端子连接至该第一偏流所流经之一节点,该另一端子连接至该第一相消性补偿电流讯号所流经之一节点,且该闸极端子被施加一偏压;以及一第二偏压金属氧化物半导体电晶体,包含一端子、另一端子、以及一闸极端子,其中该端子连接至该第二偏流所流经之一节点,该另一端子连接至该第二相消性补偿电流讯号所流经之一节点,且该闸极端子被施加该偏压;其中该第一相消性补偿电流讯号所流经之该节点与该第二相消性补偿电流讯号所流经之该节点相互连接。如请求项7所述之低功率可变增益放大器,其中该直流偏压稳定器更包含一偏压产生器,用于产生该偏压。
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