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一种半导体光元件的制造方法，其特征在于包括：形成经掺杂第一杂质且属于第一导电型BDR(Band Discontinuity Reduction)层的BDR层形成步骤；邻接该BDR层，在该BDR层成长后进行沉积，而形成供成为电极，并经掺杂该第一杂质与C，属于第一导电型接触层的接触层形成步骤；以及在该接触层形成步骤后施行热处理的热处理步骤。如申请专利范围第1项之半导体光元件的制造方法，其中，该第一导电型系p型；该第一杂质系Mg、Be、Zn中之任一杂质；该接触层系GaAs；该BDR层系InGaP。如申请专利范围第1项之半导体光元件的制造方法，其中，该第一导电型系p型；该第一杂质系Mg、Be、Zn中之任一杂质；该接触层系InGaAs；该BDR层系InGaAsP。如申请专利范围第1至3项任一项之半导体光元件的制造方法，其中，该C系利用intrinsic掺质导入法施行掺杂。 |
