| 摘要 |
<p>Beim Verfahren zum Trennen einer Materialschicht (20) entlang einer vorgegebenen Trennlinie (21) wird ein Schneidstrahl so verfahren, dass er um einen Abstand (W) seitlich versetzt zur Trennlinie (21) auf die Materialschicht (20) auftrifft. Der Abstand (W) wird in Abhängigkeit der Änderungen in der Verfahrgeschwindigkeit, mit welcher der Schneidstrahl verfahren wird, und/oder in Abhängigkeit der Abweichungen des Schneidstrahlquerschnittes von einer kreisrunden Form festgelegt.</p> |
