| 发明名称 | 一种金属层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种金属层的制造方法，该方法包括，首先，在晶圆的前层氧化层上沉积层间介质，然后光刻和刻蚀所述层间介质，形成沟槽，再在沟槽中电镀金属，最后化学机械研磨去除晶圆表面多余的金属，形成金属层。在形成金属层后，该方法还包括对金属层退火。本发明在电镀金属后直接进行化学机械研磨，避免了退火过程中金属颗粒的体积变大产生的张力对晶圆的曲率半径方向的改变，减小了后续化学研磨发生晶圆破裂的机率，同时缩短了器件制造流程所需的时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102110585A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910247206.3 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐小亮;曾红林;冯岩 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种金属层的制造方法，该方法包括：在晶圆的前层氧化层上沉积层间介质；光刻和刻蚀所述层间介质，形成沟槽；在沟槽中电镀金属；化学机械研磨去除晶圆表面多余的金属，形成金属层； | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||