| 发明名称 | 刻蚀机台的晶圆承载腔室 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种刻蚀机台的晶圆承载腔室，包括承载腔室，所述承载腔室的外壁加装有加热带，所述加热带具有温控作用。所述加热带的温度设定为50℃。本实用新型在晶圆承载腔室的外壁加装有加热带，能够保持晶圆承载腔室的内腔高温干燥，避免溴化氢在常温常湿的条件下腐蚀腔室的内壁，从而减少缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN201883148U | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201020645475.3 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 潘敬桢;杨利 |
| 分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种刻蚀机台的晶圆承载腔室，包括承载腔室，其特征在于：所述承载腔室的外壁加装有加热带，所述加热带具有温控作用。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||