发明名称 | 预测高压器件中的衬底电流的方法 | ||
摘要 | 一种预测高压器件中衬底电流的方法,该方法可以精确地预测第一区、第二区和第三区中各自的衬底电流分量。这可以通过在第三区中对衬底电流分量进行建模来实现,在第三区中,当例如使用基于BSIM3的建模来计算高压器件中的衬底电流时,可能出现不一致。根据本发明实施例,可以通过具有三元算子的表达式来对第三区的衬底电流进行建模,并且可以将模拟出的衬底电流叠加到通过基于BSIM3的建模获得的衬底电流上。 | ||
申请公布号 | CN101470769B | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
申请号 | CN200810172783.6 | 申请日期 | 2008.12.12 |
申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郭尚勋 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;张奇巧 |
主权项 | 一种预测高压器件中的衬底电流的方法,包括:确定器件的漏极电压是否等于或高于指定的第一临界值;如果所述漏极电压低于所述第一临界值,则将附加衬底电流设置为0;如果所述漏极电压等于或高于所述第一临界值,则确定栅电压是否等于或高于指定的第二临界值;如果所述栅电压低于所述第二临界值,则将所述附加衬底电流设置为0;如果所述栅电压等于或高于所述第二临界值,则将所述附加衬底电流设置为一个值,其中所述值通过将所述第二临界值和所述栅电压之差的二次幂、所述漏极电压以及比例常数进行相乘来获得;以及然后将所述附加衬底电流叠加到通过MOSFET器件建模获得的衬底电流上,其中,将所述第一临界值设置为当通过MOSFET器件建模获取的所述衬底电流开始随所述栅电压变化时的所述漏极电压,将所述第二临界值设置为当下降的衬底电流开始增加时的所述栅电压,以及所述比例常数通过初步过程来获得,并在数据库中列出所述比例常数。 | ||
地址 | 韩国首尔 |