半导体处理用成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。

主权项

一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，具有：具有容纳以一定间隔堆积的多个被处理基板的处理区域的处理容器；在所述处理区域内支撑所述被处理基板的支撑部件；对所述处理区域内的所述被处理基板进行加热的加热器；对所述处理区域内进行排气的排气系统；向所述处理区域内供给用于在所述被处理基板上堆积薄膜的处理气体的处理气体供给系统，所述处理气体包括提供所述薄膜的主原料的含有硅烷类气体的第一处理气体、与所述第一处理气体发生反应的含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体、和提供所述薄膜的副原料的含有掺杂气体的第三处理气体；和控制包含所述处理气体供给系统的所述装置的动作的控制部，所述处理气体供给系统具有：设置在所述处理容器外，用于将所述第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从所述气体混合罐向所述处理区域供给所述混合气体的混合气体供给管线，所述混合气体供给管线具有第一供给口，所述第一供给口具有沿着所述多个被处理基板在上下方向排列的多个气体喷射孔，以形成与所述多个被处理基板平行的气流；分别向所述气体混合罐供给所述第一和第三处理气体的第一和第三处理气体供给系统；具有不经过所述气体混合罐而向所述处理区域供给所述第二处理气体的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统，所述第二处理气体供给管线具有第二供给口，所述第二供给口具有沿着所述多个被处理基板在上下方向排列的多个气体喷射孔，以形成与所述多个被处理基板平行的气流；和分别设置在所述混合气体供给管线和所述第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀，所述控制部控制所述第一和第二开关阀的开关，使得以脉冲状向所述处理区域交替供给来自所述气体混合罐的所述混合气体和来自所述第二处理气体供给系统的所述第二处理气体，向所述处理区域供给的所述第三处理气体的供给量比所述第一处理气体的供给量少。