具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明亦揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。

主权项

一种非易失存储集成电路，其特征在于，包含：一半导体衬底；一非易失存储装置在该半导体衬底上，包括：一晶体管在该半导体衬底上并由一栅极区域及具有一第一掺杂类型的一源极区域和一漏极区域所控制，包含：多个具有该第一掺杂类型的第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于该栅极区域的两侧，而该第一掺杂区域覆盖于该源极区域及该漏极区域之上；多个具有与该第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二掺杂区域，该第二掺杂区域位于该栅极区域的两侧，而该第二掺杂区域覆盖于该源极区域及该漏极区域之上；多个具有该第一掺杂类型的第三掺杂区域，该第三掺杂区域位于该栅极区域的两侧，而该第三掺杂区域覆盖于该源极区域及该漏极区域之上；多个具有该第一掺杂类型的第四掺杂区域，该第四掺杂区域位于该栅极区域的两侧，而该第四掺杂区域定义该源极区域及该漏极区域；一电容器在该半导体衬底之上并由一栅极区域所控制；一共享浮动栅极连接该晶体管的该栅极区域及该电容器的该栅极区域；一阱区在该衬底之上并具有该第二掺杂类型，其中该晶体管及该电容器是在该阱区之上；以及控制电路耦接至该非易失存储装置，该控制电路施加存储器的操作调整偏压至该非易失存储装置。