高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片

摘要

本发明涉及一种用柴氏长晶法、以高生产率生产高质量硅单晶结晶块的技术。本发明的技术能控制氧溶出区域处的磁场强度，使其不同于固-液界面区域处的磁场强度，从而将氧含量控制为所需值。

主权项

一种用柴氏长晶法生长硅单晶结晶块的生长方法，其中，向硅熔体施加非平衡磁场，所述非平衡磁场是通过控制上、下磁场使它们具有互不相同的强度来形成的，所述上磁场形成于固‑液界面区域，所述下磁场形成于坩锅底部及坩锅底部圆形区域的周围，所述硅单晶结晶块在以下条件中生长：当沿着平行于所述单晶结晶块纵向的轴线、从所述硅熔体与所述单晶结晶块之间的界面开始测量时，所述硅熔体的温度按照与所述单晶结晶块的距离成比例地逐渐升高直到最热点，然后从该最热点逐渐下降，且所述硅熔体的上升温度梯度大于它的下降温度梯度。