Verringern kritischer Abmessungen von Kontaktdurchführungen und Kontakten über der Bauteilebene von Halbleiterbauelementen

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Bauteilebene (110) eines Halbleiterbauelements (100), die Transistoren (111) und eine über den Transistoren (111) ausgebildete Ätzstoppschicht (122) aus Siliziumnitrid umfasst; Bilden einer Kontaktebene (120) über der Bauteilebene (110) durch Bilden eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials (121) über der Bauteilebene (110); Bilden einer Maskenschicht (130) auf dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) auf der Grundlage einer Ätzmaske (103) mit mehreren ersten Öffnungen (103A); Bilden mehrerer zweiter Öffnungen (130A) in der Maskenschicht (130) der Kontaktebene (120) auf der Grundlage der mehreren ersten Öffnungen (103A); wobei die zweiten Öffnungen (130A) eine Breite (130B) zumindest an deren Unterseite besitzen, die kleiner ist als eine maximale Breite der ersten Öffnungen (103A); Bilden von Kontaktöffnungen (120A) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) auf der Grundlage der zweiten Öffnungen (130A), so dass Teile der Ätzstoppschicht (122) freigelegt werden; Ätzen der freigelegten Teile der Ätzstoppschicht (122) und Entfernen der Maskenschicht (130) in einem...