发明名称 |
非布索坦的新晶型及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了非布索坦的新晶型及其制备方法,所述晶型的制备方法采用四氢呋喃作为溶剂,该晶型静电小,具有良好的溶出度,在制备药物制剂过程中不需要微粉化或制成固体分散体等其他处理方式,按照常规制剂工艺即可得到溶出度好的制剂。 |
申请公布号 |
CN101671315B |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN200910163004.0 |
申请日期 |
2009.08.19 |
申请人 |
何广卫 |
发明人 |
何广卫;李丰;吴强;刘为中 |
分类号 |
C07D277/56(2006.01)I;A61K31/426(2006.01)I;A61P19/06(2006.01)I |
主分类号 |
C07D277/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京华科联合专利事务所 11130 |
代理人 |
王为 |
主权项 |
一种非布索坦的K晶型,其特征在于,该晶体的粉末X‑射线衍射图2θ有以下吸收峰4.82±0.2,6.64±0.2,6.88±0.2,7.22±0.2,11.74±0.2,12.82±0.2,13.28±0.2,16.00±0.2,16.50±0.2,17.50±0.2,20.98±0.2,22.02±0.2,23.00±0.2,23.82±0.2,24.70±0.2,25.18±0.2,25.84±0.2,26.68±0.2。 |
地址 |
230031 安徽省合肥长江西路669号创业中心F8楼 |