发明名称 薄膜沉积方法
摘要 本发明公开了一种薄膜沉积方法,包括:在反应室中平行放置作为阳极的第一电极板和作为阴极的第二电极板,所述第二电极板面向所述第一电极板的表面具有牺牲层;在所述第一电极板面向所述牺牲层的表面放置基板;通入刻蚀气体;将所述第一电极板接地,向第二电极板施加直流负电压,将所述刻蚀气体电离为等离子体刻蚀所述牺牲层,在所述基板表面沉积薄膜。本发明的薄膜的沉积方法能够改善薄膜的性能特别是稳定性以及大面积沉积薄膜的均匀性。
申请公布号 CN101609858B 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200810126719.4 申请日期 2008.06.20
申请人 福建钧石能源有限公司 发明人 李沅民;林朝晖
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种薄膜沉积方法,包括:在反应室中平行放置作为阳极的第一电极板和作为阴极的第二电极板,在所述第二电极板面向所述第一电极板的表面具有牺牲层;在所述第一电极板面向所述牺牲层的表面放置基板;通入刻蚀气体;将所述第一电极板接地,向第二电极板施加直流电压,将所述刻蚀气体电离为等离子体对所述牺牲层进行刻蚀,被刻蚀而剥离的牺牲层物质向阳极方向扩散移动,沉积在所述基板表面而形成薄膜。
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