| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102104074A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN201010589260.9 | 申请日期 | 2010.12.09 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 杉山隆英;三角忠司;岩畸真也 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;孙丽梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基板；第一电极，其形成在所述半导体基板的第一主面上；以及第二电极，其形成在所述半导体基板的第二主面上，其中，所述半导体基板包含：第一区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，以及第二区域，在所述第二区域中，所述空位团缺陷的浓度大于所述氧空位缺陷的浓度。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||