多次毫秒退火形成掺杂区的方法

摘要

一种形成掺杂区(34，32)的方法，在一个实施方案中，包括将掺杂剂注入到半导体衬底(12)中的区域(30，28)中，通过执行第一毫秒退火来对所述区域进行再结晶，其中，所述第一毫秒退火具有第一温度和第一停留时间，并在对所述区域进行再结晶之后使用第二毫秒退火来使所述区域活化，其中，所述第二毫秒退火具有第二温度和第二停留时间。在一个实施方案中，所述第一毫秒退火和所述第二毫秒退火使用激光器(52)。在一个实施方案中，所述第一温度与所述第二温度相同，且所述第一停留时间与所述第二停留时间相同。在另一实施方案中，所述第一温度不同于所述第二温度且所述第一停留时间不同于所述第二停留时间。

主权项

一种形成掺杂区的方法，该方法包括如下步骤：将掺杂剂注入到半导体衬底中的区域中，其中，所述区域包括用不同于所述半导体衬底的其余区域且具有比所述半导体衬底的其余区域低的熔融温度的半导体材料来外延地生长的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区；使用激光器在所述区域中执行第一退火，其中：所述第一退火具有第一温度和第一停留时间；以及所述半导体衬底在所述第一退火期间相对于所述激光器移动；在执行所述第一退火之后使用所述激光器在所述区域中执行第二退火，其中：所述第二退火具有第二温度和第二停留时间；所述半导体衬底在所述第二退火期间相对于所述激光器移动；在所述第二退后之后，所述区域被再结晶，并且所述掺杂剂在所述区域中被活化；以及在所述区域中用所述激光器执行附加激光器退火以便在不使不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区熔融的情况下改善掺杂剂活化，所述附加激光器退火用低于不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区的熔融条件的停留时间和温度来执行，并将相应的掺杂剂活化改善至否则将需要高于不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区的熔融条件的停留时间和温度的程度。