| 摘要 |
Vertikales Hochvolt-Halbleiterbauelement mit einem eine Halbleiterschicht (3) des einen Leitungstyps aufweisenden Halbleiterkörper (1), der einen inneren Bereich mit einem Zellenfeld (Z) in seiner Vorderseite (4) und einen Randabschluss mit einem den inneren Bereich wenigstens teilweise umgebenden Randbereich (R) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass im Randbereich (R) angrenzend an das Zellenfeld (Z) ein Lateral-Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der in eingeschaltetem Zustand des Hochvolt-Halbleiterbauelements zu dessen Stromtragfähigkeit beiträgt und im ausgeschalteten Zustand des Hochvolt-Halbleiterbauelements in vertikaler und lateraler Richtung sperrfähig ist.
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