主权项 |
一种电荷泵电路,其特征在于,包括第一PMOS晶体管M1,第二PMOS晶体管M2,第三PMOS晶体管M3,第四NMOS晶体管M4,第五PMOS晶体管M5,第六PMOS晶体管M6,第七PMOS晶体管M7,第八PMOS晶体管M8,第九NMOS晶体管M9,第十PMOS晶体管M10,第十一PMOS晶体管M11,第十二PMOS晶体管M12,第一电容器C1,第二电容器C2;第一PMOS晶体管M1源极、第二PMOS晶体管M2源极、第三PMOS晶体管M3栅极、第五PMOS晶体管M5栅极、以及第九NMOS晶体管M9源极同接第一输入信号VIN,第一PMOS晶体管M1的衬底、第二PMOS晶体管M2的衬底、第三PMOS晶体管M3的衬底及第二PMOS晶体管M2的漏极、第三PMOS晶体管M3的漏极短接,第一PMOS晶体管M1漏极、第二PMOS晶体管M2栅极、第三PMOS晶体管M3源极、第五PMOS晶体管M5源极、第九NMOS晶体管M9栅极、第十一PMOS晶体管M11源极、第十二PMOS晶体管M12栅极以及第一电容器C1的一端短接,第一电容器C1的另一端接第三输入信号CN,第一PMOS晶体管M1栅极、第四NMOS晶体管M4漏极及第五PMOS晶体管M5漏极短接,第六PMOS晶体管M6源极、第七PMOS晶体管M7源极、第八PMOS晶体管M8栅极、第十PMOS晶体管M10栅极、以及第四NMOS晶体管M4源极同接第二输入信号VIP,第六PMOS晶体管M6的衬底、第七PMOS晶体管M7的衬底、第八PMOS晶体管M8的衬底及第七PMOS晶体管M7的漏极、第八PMOS晶体管M8的漏极短接,第六PMOS晶体管M6漏极、第七PMOS晶体管M7栅极、第八PMOS晶体管M8源极、第十PMOS晶体管M10源极、第四NMOS晶体管M4栅极、第十二PMOS晶体管M12源极、第十一PMOS晶体管M11栅极以及第二电容器C2的一端短接,第二电容器C2的另一端接第四输入信号CP,第六PMOS晶体管M6栅极、第九NMOS晶体管M9漏极及第十PMOS晶体管M10漏极短接;第十一PMOS晶体管M11的漏极、第十二PMOS晶体管M12的漏极短接作为电荷泵电路输出端VOUT。 |