发明名称 电荷泵电路
摘要 本发明公开了一种电荷泵电路,四个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管和一个电容器构成通道1,另四个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管和一个电容器构成通道2,第一输入信号和第二输入信号分别为通道1和2的输入端,第三输入信号和第四输入信号分别为两个一电容器的输入端,另有两个PMOS晶体管构成自适应高电压选择电路,其输入端为分别为通道1和通道2的输出端,其输出端为电荷泵电路输出端。本发明的电荷泵电路,能消除晶体管衬底偏置和阈值电压降。
申请公布号 CN102104328A 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200910201971.1 申请日期 2009.12.18
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 金建明;洪志良
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王江富
主权项 一种电荷泵电路,其特征在于,包括第一PMOS晶体管M1,第二PMOS晶体管M2,第三PMOS晶体管M3,第四NMOS晶体管M4,第五PMOS晶体管M5,第六PMOS晶体管M6,第七PMOS晶体管M7,第八PMOS晶体管M8,第九NMOS晶体管M9,第十PMOS晶体管M10,第十一PMOS晶体管M11,第十二PMOS晶体管M12,第一电容器C1,第二电容器C2;第一PMOS晶体管M1源极、第二PMOS晶体管M2源极、第三PMOS晶体管M3栅极、第五PMOS晶体管M5栅极、以及第九NMOS晶体管M9源极同接第一输入信号VIN,第一PMOS晶体管M1的衬底、第二PMOS晶体管M2的衬底、第三PMOS晶体管M3的衬底及第二PMOS晶体管M2的漏极、第三PMOS晶体管M3的漏极短接,第一PMOS晶体管M1漏极、第二PMOS晶体管M2栅极、第三PMOS晶体管M3源极、第五PMOS晶体管M5源极、第九NMOS晶体管M9栅极、第十一PMOS晶体管M11源极、第十二PMOS晶体管M12栅极以及第一电容器C1的一端短接,第一电容器C1的另一端接第三输入信号CN,第一PMOS晶体管M1栅极、第四NMOS晶体管M4漏极及第五PMOS晶体管M5漏极短接,第六PMOS晶体管M6源极、第七PMOS晶体管M7源极、第八PMOS晶体管M8栅极、第十PMOS晶体管M10栅极、以及第四NMOS晶体管M4源极同接第二输入信号VIP,第六PMOS晶体管M6的衬底、第七PMOS晶体管M7的衬底、第八PMOS晶体管M8的衬底及第七PMOS晶体管M7的漏极、第八PMOS晶体管M8的漏极短接,第六PMOS晶体管M6漏极、第七PMOS晶体管M7栅极、第八PMOS晶体管M8源极、第十PMOS晶体管M10源极、第四NMOS晶体管M4栅极、第十二PMOS晶体管M12源极、第十一PMOS晶体管M11栅极以及第二电容器C2的一端短接,第二电容器C2的另一端接第四输入信号CP,第六PMOS晶体管M6栅极、第九NMOS晶体管M9漏极及第十PMOS晶体管M10漏极短接;第十一PMOS晶体管M11的漏极、第十二PMOS晶体管M12的漏极短接作为电荷泵电路输出端VOUT。
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