发明名称 半导体发光器件及其制造方法
摘要 提供一种半导体发光器件。根据实施例的半导体发光器件包括:第二电极层;第二电极层的一侧下面的包括多个化合物半导体层的发光单元;第二电极层的另一侧下面的第一绝缘层;第一绝缘层下面的包括多个化合物半导体层的静电保护单元;第一电极层,该第一电极层将发光单元电气地连接到静电保护单元;以及布线层,该布线层将静电保护单元电气地连接到第二电极层。
申请公布号 CN102106007A 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200980128957.1 申请日期 2009.07.17
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 丁焕熙
分类号 H01L33/36(2006.01)I 主分类号 H01L33/36(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 夏凯;谢丽娜
主权项 一种半导体发光器件,包括:第二电极层;所述第二电极层的一侧下的发光单元,所述发光单元包括多个化合物半导体层;所述第二电极层的另一侧下的第一绝缘层;所述第一绝缘层下的静电保护单元,所述静电保护单元包括多个化合物半导体层;第一电极层,所述第一电极层将所述发光单元电气地连接到所述静电保护单元;以及布线层,所述布线层将所述静电保护单元电气地连接到所述第二电极层。
地址 韩国首尔