发明名称 | 形成基片中的器件的方法和薄膜体声共振器 | ||
摘要 | 一种薄膜体声共振器形成在基片上。该薄膜体声共振器包括一层压电材料,其具有邻近该基片的第一表面和远离该基片的第二表面。沉积在压电材料的第一表面上的第一导电层包括具有在与第二部分相关的表面的不同平面上的表面。一种用于形成该器件的方法包括沉积第一电极的第一部分和压电层到基片上。该方法包括去除在压电层下面和第一电极的该部分下面的基片的一部分,以及沉积第一电极的第二部分到压电薄膜层上和第一电极的第一部分上。 | ||
申请公布号 | CN1620755B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
申请号 | CN02828163.2 | 申请日期 | 2002.12.17 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | L·-P·王;Q·马;V·劳 |
分类号 | H03H9/17(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 原绍辉 |
主权项 | 一种形成在基片上的薄膜体声共振器,该薄膜体声共振器包括:一层压电材料,其包括:邻近该基片的第一表面;远离该基片的第一表面的第二表面;第一导电层,其包括在该基片上的第一部分和与该层压电材料的第一表面接触的第二部分,第二部分与第一部分重叠;以及与该层压电材料的第二表面接触的第二导电层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |