发明名称 |
上行导频发射方法 |
摘要 |
本发明公开了一种上行导频发射方法,该方法包括以下步骤:第一步骤,基站的广播消息中的接入服务类指示移动终端能发射上行导频的上行导频信道;第二步骤,移动终端根据基本公共控制信道和下行导频信道的功率计算传播延迟;第三步骤,移动终端根据传播延迟确定在虚子帧里发射上行导频的时间;以及第四步骤,移动终端在第三步骤中确定的发射时间发射上行导频。通过本发明可以使支持下行导频Blanking的TD-SCDMA系统中小区覆盖半径最大化,并且优化了智能天线校正。 |
申请公布号 |
CN101174869B |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN200610137803.7 |
申请日期 |
2006.11.01 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
萧少宁 |
分类号 |
H04B7/26(2006.01)I;H04W48/10(2009.01)I;H04W56/00(2009.01)I |
主分类号 |
H04B7/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
李伟;吴孟秋 |
主权项 |
一种上行导频发射方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步骤,基站的广播消息中的接入服务类指示移动终端能发射上行导频的上行导频信道,其中,所述接入服务类指示所述移动终端只在虚子帧的上行导频时隙发射上行导频,其中,所述虚子帧为不发射下行导频的子帧;第二步骤,所述移动终端根据基本公共控制信道和下行导频信道的功率计算传播延迟;第三步骤,所述移动终端根据所述传播延迟确定在虚子帧里发射上行导频的时间;以及第四步骤,所述移动终端在所述第三步骤中确定的发射时间发射上行导频。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 |