| 发明名称 | 设有嵌入硅/锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明为一种设有嵌入硅/锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管。通过将扩散阻碍物种(256A)并入在包括硅/锗合金(255)的P沟道晶体管的PN接面的附近，可减少关于PN接面的非均匀性的扩散，因此促进装置稳定性的提升与整体晶体管性能的增加。能以碳、氮等形式提供扩散阻碍物种(256A)。 | ||
| 申请公布号 | CN102105965A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200980129155.2 | 申请日期 | 2009.07.31 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·霍尼舒尔;M·维亚特尔;V·帕帕耶奥尔尤 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种方法，包括下列步骤：在主动半导体区域(203A)中形成场效应晶体管(250)的漏极与源极区域(253)，该漏极与源极区域(253)包括应变诱发半导体合金(255)；将扩散阻碍物种(256A)置于该主动半导体区域(203A)内的空间性受限制区处，该空间性受限制区相应于由该漏极与源极区域(253)所形成的PN接面的至少一区段；以及退火该漏极与源极区域(253)以激活在该漏极与源极区域(253)中的掺杂物。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||