Verfahren zur Reinigung, Trocknung und Hydrophilierung einer Halbleiterscheibe

摘要

Verfahren zur Reinigung, Trocknung und Hydrophilierung einer Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) Behandlung der Halbleiterscheibe mit einer flüssigen wässrigen Lösung enthaltend Fluorwasserstoff, wobei die Halbleiterscheibe zumindest zeitweise um ihre Mittelachse rotiert und b) vollständige Trocknung der Halbleiterscheibe durch Rotation der Halbleiterscheibe um ihre Mittelachse bei einer Rotationsgeschwindigkeit von 1000 bis 5000 Umdrehungen pro Minute in einer Atmosphäre, die Ozon in einer Konzentration von 5 bis 20 Gewichtsprozent enthält, wobei die flüssige wässrige Lösung enthaltend Fluorwasserstoff aufgrund der durch die Rotation erzeugten Zentrifugalkraft von der Halbleiterscheibe abfließt und die Oberfläche der Halbleiterscheibe durch Ozon hydrophiliert wird und wobei die Halbleiterscheibe ab einem Zeitpunkt der ozonhaltigen Atmosphäre ausgesetzt wird, zu dem die Halbleiterscheibe noch mit einem durchgehenden Flüssigkeitsfilm bedeckt ist.