发明名称 间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.06.21
申请号 TW100200911 申请日期 2011.01.14
申请人 华东科技股份有限公司 发明人 陈永祥;邱文俊;周圣杰
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项 一种间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,包含:一基板,系具有复数个接指;一间隔片,系设置于该基板上;一第一晶片,系设置于该间隔片上,该第一晶片之一背面系设有一绝缘层,并且该第一晶片系横向突出地超过该间隔片之至少一侧边;一拱形支撑胶,系具有一拱形截面边界,其系黏接该绝缘层在该第一晶片横向突出之部位至该间隔片之该侧边;以及复数个焊线,系电性连接该第一晶片之复数个焊垫至该基板之该些接指。根据申请专利范围第1项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该些焊垫系位在该第一晶片之横向突出部位上。根据申请专利范围第1项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该间隔片系不电性连接至该基板。根据申请专利范围第1项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该间隔片系为交错堆叠之晶片并电性连接至该基板。根据申请专利范围第1项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该间隔片与该第一晶片系为阶梯状堆叠之晶片组合并电性连接至该基板。根据申请专利范围第1、2、3、4或5项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该拱形支撑胶之该拱形截面边界系由一覆线胶体之黏晶溢胶所形成。根据申请专利范围第6项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,其中该拱形支撑胶系完整黏附在该第一晶片之该背面之该绝缘层。根据申请专利范围第6项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,另包含一第二晶片,系介设于该间隔片与该基板之间。根据申请专利范围第6项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,另包含一封胶体,系形成于该基板上,用以密封该第一晶片、该间隔片以及该些焊线。根据申请专利范围第9项之间隔片侧边形成拱形支撑的半导体封装构造,另包含复数个焊球,系设置于该基板之一下表面。
地址 高雄市高雄加工出口区北一路18号