| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其包含：第一步骤，其使用闸极绝缘膜在矽基板上形成闸极电极；第二步骤，其使用以该闸极电极作为光罩所进行的蚀刻来挖掘该矽基板之表面层；以及第三步骤，其在该矽基板之该挖掘部分之表面上磊晶生长包括矽及晶格常数不同于矽之原子的混合晶体层，而使该混合晶体层以杂质浓度沿从该矽基板侧朝向该混合晶体层表面方向增加之浓度梯度包含杂质。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中该半导体装置系p型场效电晶体，以及该第三步骤包括在该矽基板之表面上，磊晶生长该包括矽及锗之混合晶体层，使得该混合晶体层以该浓度梯度包含该p型杂质。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中该半导体装置系n型场效电晶体，以及该第三步骤包括在该矽基板之表面上，磊晶生长该包括矽及碳之混合晶体层，使得该混合晶体层以该浓度梯度包含该n型杂质。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中该第三步骤包括磊晶生长该混合晶体层，而使该混合晶体层以该杂质浓度沿从该矽基板侧朝向该混合晶体层表面之方向逐步增加之该浓度梯度包含该杂质。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中：其中该第三步骤包括磊晶生长该混合晶体层，而使该混合晶体层以该杂质浓度沿从该矽基板侧朝向该混合晶体层表面之方向连续地增加之该浓度梯度包含该杂质。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中该混合晶体层包括以堆叠状态连续层叠的第一层、第二层及第三层，以及该第三步骤包括以下步骤：在该矽基板之该挖掘部分之表面上形成该第一层，使得该第一层在该等三层之中以最低浓度包含该杂质；在该第一层上形成该第二层，而使该第二层以在该第二层内的杂质浓度从该第一层内的杂质浓度增加至该第三层内的杂质浓度之浓度梯度包含该杂质；以及在该第二层上形成该第三层，使得该第三层在该等三层之中以最高浓度包含该杂质。一种半导体装置，其包含：闸极电极，其使用闸极绝缘膜而设置于矽基板之上；以及混合晶体层，其包括矽及晶格常数不同于矽之原子，该混合晶体层系在该矽基板于该闸极电极之两个横向侧上被挖掘之区域中，其中该混合晶体层以杂质浓度沿从该矽基板侧朝向该表面之方向增加之浓度梯度包含杂质。 |
